4月18日晚間，功率半導體IDM龍頭士蘭微（600460.SH）發布2024年年度業績報告，公司2024年營業總收入為112.21億元，同比增長20.14%；實現歸母凈利潤2.20億元，與上年同期相比實現扭虧轉盈；扣非凈利潤為2.52億元，同比增加327.34%。

公司經過二十多年的發展，已經成為目前國內領先的IDM公司。2024年，公司營業收入首次突破100億元，達到112億元人民幣，創造了中國大陸本土成長起來的半導體IDM公司的歷史性時刻。公司電路和器件成品的銷售收入中，已有76%的收入來自大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場。

各類產品穩定向好 集成電路板塊同比增長31%

公司依托IDM模式形成的設計與工藝相結合的綜合實力，協同發展集成電路、功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、光電器件和第三代化合物半導體芯片。面對市場競爭的加劇，公司通過持續推出富有競爭力的產品，持續加大對大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場的拓展力度，加快產品結構調整的步伐。

公司集成電路在2024年營業收入為41.05億元，較上年同期增長約31%，這主要是由于公司IPM模塊、AC-DC電路、32位MCU電路、快充電路等產品的出貨量明顯加快，其中32位MCU電路、IPM模塊較上年同期分別增長36%和47%。

具體來看，32位MCU電路產品實現36%的營收增長，主要得益于公司基于M0內核的更大容量Flash更多管腳的通用高性能控制器產品，其滿足了多領域高性能的控制需求。IPM模塊實現47%的營收增長，主要源于產品在下游應用領域的持續滲透。2024年，國內多家主流的白電整機廠商在變頻空調等白電整機上使用了超過1.7億只士蘭IPM模塊，比上年同期增加約57%。此外，在電源管理芯片領域，公司也取得了顯著突破，成功開發并推出了一系列面向汽車、大型白電、服務器及高端消費電子市場的新產品。目前，這些新產品都已經在客戶端測試或已進入量產階段。

在功率半導體和分立器件產品方向，公司在2024年應用于汽車、光伏的IGBT和SiC（模塊、器件）的營收達到22.61億元，同比增長60%以上。公司自主研發的V代IGBT和FRD芯片已完成技術升級，以此款芯片為基礎的電動汽車主電機驅動模塊，已在國內外多家客戶實現批量供貨；公司用于汽車的IGBT器件（單管）也已實現大批量出貨，公司用于光伏的IGBT器件（成品）、逆變控制模塊、SiC MOS器件也實現批量出貨；同時，基于公司自主研發的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊在4家國內汽車廠家出貨量累計達5萬只。

以國際先進IDM大廠為標桿 芯片設計研發成果顯著

公司始終秉持著“以國際上先進的IDM大廠為學習標桿，成為具有自主品牌，具有國際一流競爭力的綜合性的半導體產品供應商”的戰略目標，依托設計與制造一體的模式，在半導體功率器件、各類模擬芯片、MEMS傳感器、光電產品和化合物芯片等多個技術領域，持續投入生產資源與研發資源。

公司芯片設計研發成果顯著，利用在多個芯片設計領域的積累，提供針對性的芯片產品和系統應用解決方案，不斷提升產品質量和口碑，提升產品附加值。在細分產品線上，MEMS傳感器領域，六軸慣性傳感器（IMU）已接獲多家國內智能手機廠商批量訂單。除了繼續鞏固消費電子市場份額外，還積極拓展工藝平臺，研發更高精度的慣性傳感器產品，向汽車、工業等市場進軍。

功率器件領域，公司已完成多個電壓平臺的RC-IGBT（逆導型IGBT）產品的研發，并在汽車主驅、儲能、風電、IPM模塊等領域中推廣使用。

SiC技術研發取得突破，公司已成功完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET技術開發，其性能指標已接近溝槽柵SiC器件水平。目前，第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送往客戶處進行評測，預計基于該代芯片的功率模塊將于2025年實現批量生產。

深挖細分市場空間 加速推進制造工藝與產能布局

公司制造工藝與產能布局加速推進，依托于已穩定運行的5、6、8、12英寸硅芯片生產線和正在加快建設的4、6、8英寸先進化合物芯片生產線，建立了新產品和新工藝技術研發團隊，形成完整的特色工藝制造平臺。

產能擴充方面，公司已在士蘭集昕8英寸線上加大MEMS傳感器芯片制造能力的投入，預計2025年慣性傳感器產品營收翻倍。與此同時，公司12英寸線模擬電路、IGBT等功率器件芯片及IPM功率模塊封裝測試生產線同步擴產。2025年IPM產品出貨量預計增長30%—50%，并將持續優化器件性能，推進高壓1200V的IPM模塊、SiC器件和GaN器件的應用。未來拓展汽車用市場是士蘭IPM模塊今后發展的主要方向。

SiC芯片產能持續提升，士蘭明鎵已形成月產9000片6英寸SiC MOS芯片的生產能力。為滿足新一代SiC芯片上量的要求，公司已對6英寸線進行技術改造和效率提升。預計2025年SiC芯片出貨量將顯著增加。此外，在報告期內，公司已經實現了8英寸SiC mini line的通線，并且II代芯片已在該線上試流片成功，預計將在2025年四季度實現全面通線并試生產，以搶占2026年車用SiC市場機遇。

值得一提的是，公司在氮化鎵和LED芯片領域也在持續發力。公司8英寸硅基GaN功率器件芯片研發量產線已實現通線，預計將于2025年二季度推出車規級和工業級的GaN功率器件產品。與此同時，2024年公司加快推進LED芯片生產線資源的整合、技術改造和產品升級，積極布局汽車照明領域，全力推動LED芯片新產品實現規模化量產，加速開拓車用照明市場。

在持續的產品創新、人工智能數據中心、下一代高性能計算（HPC）應用、汽車電氣化和智能化、工業機器人等對半導體需求不斷增長的帶動下，全球半導體行業經歷了2023年低谷后，在2024年恢復增長。全球貿易風險的加劇，將進一步刺激國內市場對國產芯片的需求有利于國產芯片加快進口替代，同時推動國內半導體裝備、材料等行業的加快發展。

在此背景下，公司持續提升綜合能力，發揮IDM模式優勢，加大對集成電路、功率半導體、MEMS傳感器產品、光電器件和第三代化合物半導體（SiC、GaN）等新產品的研發投入，加快推出契合市場的新產品。同時，聚焦當前汽車、新能源、算力和通訊等產業快速發展的契機，抓住國內高門檻行業和客戶積極導入國產芯片的時間窗口，利用多條不同尺寸硅芯片產線和化合物產線的特點拓展工藝技術與產品平臺，“持之以恒、做精做專”，深挖細分市場空間。